扫码关注
- 全部
- 默认排序
本文要点超大规模集成电路 (Very large scale integration，VLSI) 是一种主流的集成电路 (IC) 设计模式。芯片尺寸微型化有助于降低单个晶体管的功耗，但同时也提高了功率密度。先进封装的低功耗设计趋势势头未减，而更新的技术有助于在不牺牲计算性能的情况下降低器件的功耗。如
在嵌入式开发中，可能会接到关于微控制器（MCU）要求低功耗的项目需求，特别是在对电池寿命有严格要求的应用场景，如可穿戴设备、物联网传感器等，如果想要高效实现MCU的低功耗需求，该如何做？1、关闭非必要外设时钟逐一检查MCU的外设，仅保留工作
物联网的快速发展正在将传统环境转变为智能、数据驱动的生态系统。最有前景的应用之一是使用 LoRaWAN 将传统建筑（最初未采用现代技术设计）改造成智能互联结构。该技术已成为这一转变的关键推动因素，为现有建筑添加物联网功能提供了可扩展、低功耗
VKD223B是单键电容触摸键IC，提供直接模式和触发模式两种输出方式，具有低功耗和宽工作电压的特点，是目前应用量最大的触摸芯片型号。（由于收到原厂通知，此料已逐渐停产，现有新产品进行替代，性能更好更灵敏，更新增内置LDO功能，详情沈）M1
VK3 6T 2具有2个触摸按键，可用来检测外部触摸按键上人手的触摸动作。该芯片具有较高的集成度，仅需极少的外部组件便可实现触摸按键的检测。提供了串口TX输出功能，可用于耳机，音箱等需要滑动方向识别的设备。芯片内部采用特殊的集成电路，具有高
KL144B是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可支持最大 144点（36SEGx4COM）的LCD屏。单片机可通过I2C接口配 置显示参数和读写显示数据，可配置4种功耗模式，也可通过 关显示进入省电模式。其高抗干扰，超低功耗的特性适用于
随着业界对增加晶体管密度、增加带宽和降低功耗的需求越来越迫切，许多 IC 设计和封装团队都在深入研究如何增加垂直堆叠多个芯片裸片（die）和小芯片（chiplet）的方案。这种被称为3D-IC 的技术有望实现许多超越传统单裸片在单平面设计的优势。其架构可以将多个同质和异质的裸片/小芯片 Chiple
在电子电路中，我们总会需要设计各种电路及功能模块，其中之一是电磁铁，如果想要电磁铁做到简单的吸合与断开，那么选MOS管还是继电器？为什么？1、MOS管 VS 继电器①MOS管优点：快速响应：MOS管开关速度快，适合高频操作。低功耗：在导通状
在电子设计中，超低功耗MCU的选择对于延长电池寿命、减少能源浪费以及提升设备整体性能至关重要。所以工程师需要了解下超低功耗MCU的选择方法，下面细说下！一、工作电低电压操作：选择能在较低电压下正常工作的MCU，通常这类MCU具有更低的功耗。
DDR是当前最常用的存储器设计技术之一，其高速、低功耗的特性满足了众多消费者的需求。但随着传输速度的加快，DDR的设计验证难度呈指数上升。对仿真工程师来说，DDR的高速率很容易引起一系列信号完整性问题，引发包括时序冲突、协议背离、时钟抖动及
