随着超大规模集成电路制造技术、新型薄膜晶体管显示技术和大面积OLED显示技术的日益成熟和规模化，激光退火技术逐渐取代传统的炉管退火、快速热退火、尖峰退火、快闪退火，成为新一代主流退火技术。 自从1975年前苏联科学家Gerasi-menko开始研究激光退火以来，此后若干年里，研究者对激光退火机

湿法腐蚀在半导体工艺里面占有很重要的一块。不懂化学的芯片工程师是做不好芯片工艺的。正常一些的腐蚀Sio2等氧化层工艺，也有许多腐蚀铜、Al、Cr、Ni等金属层工艺。有时还需要做一些晶圆的返工程序，如何配置王水、碘化物溶液等。相对于真空设备，成形稳定的工艺参数来讲，化学间才是考验芯片工程师的主要场地。

多年前有幸进入浙江大学戴道锌教授课题组学习，虽然只是短短的3个月，学到的知识颇多，戴教授在光电子专业做出了很多不俗的成绩。以下节选他的部分课件学习一下集成光学材料。 光学材料分的类别很多，有单晶、多晶玻璃以及特殊单晶材料。这时候出来两个概念，无源光子器件和有源器件，最简单的区分就看器

WPE在LD芯片中指电光转换效率。 WPE=出光功率/工作电流/工作电压。因此WPE越大越好，说明电转成光的效率越高。额外的部分电能，大部分以热能的形式释放。WPE高的话，转换的热也会变少。 An AlGaInP/GaAs red LD suffers from low wall pl

激光芯片的可靠性是一项十分关键的指标，无论是小功率的激光笔还是要求较高的激光通信芯片，都需要进行芯片的老化和可靠性的测试。 相比于传统的电子类的芯片，激光的测试比较复杂，牵涉到光、电的测量，也要考虑封装形式的区别。老化试验是作为芯片的一个检测手段，在研发初期，也可以通过芯片老

NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有，EEPROM，NOR FLASH, NAND FLASH，EMMC, UFS。　　闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)，里面有一个浮置栅极(Floating Gate)

但凡说到激光器，人们必须提及Vcsel，也就是垂直腔面发射激光器：Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser。2017年苹果公司iPhone X采用vcsel作为3D感应技术，用于Proximity sensor和 Face ID模块，彻底把Vcsel炒热了。之后发

晶圆常用的切割手段有很多，根据不同的材质和芯片设计采用不同的方式。常见的有砂轮切割、激光切割、金刚刀划片劈裂、还有隐形切割等等。其中激光切割应用是越来越广，激光切割也分为激光半划、激光全划、激光隐形划切和异形芯片的划切等工艺方法的特点。 1 激光半划1.1 激光开槽 砂轮切割随着芯片特征尺寸的不

脊型GaAs基LD激光芯片工艺过程：这个流程算是LD最基础的流程，第一步做Mesa台阶，第二步做SiO2阻挡层，第三步做P电极、第四步做减薄、抛光；第五步做N电极。然后就是切片、测试、封装。但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要

最近光通讯很火，了解一下光路网络的概念。先了解一下光纤到户，17年左右流行光纤入户，以前都是铜线呢，现在基本上普及光纤，光猫了。光纤到户网络（FTTH，fibre to the home），是由一个基于光纤的接入网络，将大量的终端用户连接在一个网络中间点上，也就是通常所说的接入点或入网点（POP，p