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James Bond小说的作者Ian Flemin曾写道,钻石可能是永恒的。但在工程师的角度来看,其或将永远处于实用半导体材料的边缘。尽管这种材料具有优点——比竞争对手的碳化硅和氮化镓(GaN)更宽的带隙,优良的热传导,以及在比硅钻石的缺点

钻石能否做成晶体管使用?

近年来,因为 5G 的应用,大家对射频氮化镓的关注度日益提升。Qorvo 方面也认为,GaN 非常适合提供毫米波领域所需的高频率和宽带宽。它可以满足性能和小尺寸要求,如下图所示。使用毫米波频段的应用需要高度定向的波束形成技术(波束形成将无线

氮化镓在射频微波电子行业的应用

产品概述LMG341xR150 GaN FET具有集成驱动器和保护功能,让设计人员能够在电动电子系统中实现更高功率密度和效率。LMG341xR150 GaN FET具有超低输入和输出电容、零反向恢复(可将开关损耗降低高达80%)以及低开关节

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明佳达电子Mandy 2022-08-18 10:03:23
集成驱动器LMG3411R150RWHR GaN FET 工业电源应用

微波功率放大器主要分为真空和固态两种形式。基于真空器件的功率放大器,曾在军事装备的发展史上扮演过重要角色,而且由于其功率与效率的优势,现在仍广泛应用于雷达、通信、电子对抗等领域。后随着GaAs晶体管的问世,固态器件开始在低频段替代真空管,尤其是随着GaN,SiC等新材料的应用,固态器件的竞争力已大

微波射频功率放大器发展概述

TMS320F28003x/TMS320F28003x实时微控制器是C2000™实时微控制器系列中的一款器件。C2000微控制器是可扩展、超低延迟器件,旨在提高电力电子设备的效率,包括但不限于:高功率密度、高开关频率,并支持使用 GaN和S

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明佳达电子Mandy 2023-03-09 09:43:41
资料F280034SPM/F280037CPTRQ1【微控制器】F280037CSPM 32bit 120MHz

Introduction:In today's interconnected world, seamless and reliable data transfer is crucial for businesses, orGaNizatio

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Cindy-wallys 2023-06-12 14:46:51
DR6018 Routerboard: Unleashing Long-Distance Transfer Capabilities up 23Km!

1、L99UDL01TR汽车通用门锁IC是一款多路半桥IC,具有6个集成输出,可对这些输出进行PWM配置和电流调节。该器件包括多达两个外部配置的半桥,用于更大电流节点。IC描述:IC HALF BRIDGE DRIVER 64TQFP输出配

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明佳达电子Mandy 2024-01-02 17:31:06
L99UDL01TR汽车通用门锁IC,L9961TR用于工业电池管理应用的芯片、MASTERGAN4 GaN半桥驱动器

1、QPF400637GHz至40.5GHz氮化镓前端模块QPF4006是一款面向39GHz相控阵5G基站和终端的多功能氮化镓MMIC前端模块。该器件结合了低噪声高线性度LNA、低插入损耗高隔离度TR开关和高增益高效率多级PA。QPF400

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明佳达电子Mandy 2024-01-12 17:03:37
【器件】QPF4006(用于5G)GaN前端模块、QPC3025(SPDT)RF开关,TPS61288RQQR 15A同步升压转换器

GaN作为第三代半导体的典范正在被广泛使用,就连电梯间也能看到快充品牌直接拿GaN做广告语了。GaN做激光或者LED可以发出蓝光,也是被广泛研究和量产的产品。GaN器件目前被称为HEMT (High Electron Mobility Transistors),这种高电子迁移率的晶体管用

GaN芯片工艺

GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。金属与半导体接触可以形成肖特基接触,也可以形成非整流的接触,即欧姆接触。欧姆接触不产生明显的附加阻抗,而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。室温下n-GaN的电子亲和势为

GaN的欧姆接触实验