双极型晶体管 (BJT) 是一种半导体器件，它由三个区域组成:n 型区 (发射极)、p 型区 (基极) 和 n 型区 (集电极)。这种晶体管是 bjt(双极型晶体管) 系列中最常用的一种，它被广泛应用于各种电子设备和电路中。本文汇总了一些资

电力晶体管（Power Transistor）是一种用于控制大电流和高功率的半导体器件。它是一种晶体管的变种，具有较高的电流和功率处理能力，广泛应用于功率放大、开关控制和电源调节等领域。01电力晶体管基本结构电力晶体管由三个不同掺杂的P型和

1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速发展。正因为它如此地丰富了人们的生活，就其贡献度而言，作为发明者的3位物理学家--肖克莱博士、巴丁博士和布菜顿博士，

电源电路是电子设备中的最重要的组成部分之一，负责为整个设备提供稳定且可靠的电源，然而，对电子小白来说，电源电路的设计及调试无疑是一个挑战，今天凡小亿将开课好好教你如何看懂电源电路。首先电源电路基本上由输入/输出、整流、滤波、稳压、保护等部分

MOS管和双极型晶体管（BJT）是常见的两种晶体管器件，它们在工作原理、结构以及性能上存在明显差异，本文将对其进行比较分析。如果您对即将涉及的内容感兴趣，那么请继续阅读下文吧，希望能对您有所帮助。结构BJT有三个区域：发射区（Emitter

关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电容量功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的

如今数字技术应用广泛，基本器件已开始从电子管、晶体管、小规模集成SSI等发展到超大规模集成电路ULSI等。同时吗集成电路的发展大大促进了EDA的发展，这也造成了ASIC的设计与制造已不再完全由半导体厂商独立承担，ASIC应用逐渐广泛。所以本

随着科技发展，晶体管在芯片中应用重要性日益凸显，晶体管的数量甚至直接决定着芯片性能的好坏，芯片内置的晶体管数量开始以数以千万为单位。可以说是晶体管撑起了芯片的半边天，今天我们将为小白归纳总结晶体管的基础知识。晶体管外文名为transisto

回答网友的问题：逻辑电路设计规则里gate width方向的尺寸一般要求远比feature size大，比如28nm的gate width最小也是100nm，间隔也最小80nm，这是出于什么考虑呢？有没有可能跟DRAM工艺那样，也压到fea