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INN3670C:集成了高压初级侧开关、同步整流、FluxLink反馈的离线反激式恒压/恒流准谐振开关电源ICINN3670C-H615-TL 离线转换器 60kHz 开关频率输出隔离:隔离内部开关:是电压 - 击穿:750V拓扑:反激,次

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明佳达电子Mandy 2024-04-30 15:33:09
(电源管理ic)INN3670C-H615-TL、INN3670C-H606-TL 离线转换器 反激,次级侧 SR 拓扑 60kHz InSOP-24D

1、电路拓扑的原理与设计1、清楚不同变换器的功能,根据设计要求选取合适拓扑;2、熟知变换器的工作状态,能对变换器进行稳态分析和交流小信号分析;3、熟悉变换器的数学模型,能获取变换器稳态输入输出关系和传递函数;4、根据变换器的传函,能对变换器进行环路设计;5、在环路设计基础上,分析系统的稳定性(伯德图

开关电源工程师需学习哪些知识?

1、MOS管简介功率MOSFET是电压型驱动器件,输入阻抗高,因而开关速度可以很高。功率MOS管的栅极有等效的输入电容CISS。由于CISS的存在,静态时栅极驱动电流几乎为零,但在开通和关断动态过程中,仍需要一定的驱动电流,MOS管的开关速

一文详解MOS管驱动电路拓扑的设计

在ISO 11898-2和ISO 11898-3中分别规定了两种CAN总线结构(在BOSCH CAN2.0规范中,并没有关于总线拓扑结构的说明):高速CAN总线和低速CAN总线,区别表如下所示:本篇博文将详细介绍两者的特性和区别。高速CAN总线ISO 11898-2中定义了通信速率为125Kbps~

详解CAN总线:高速CAN总线和低速CAN总线的特性

据外媒报道,三星已通知客户,DDR3内存芯片最后接单时间将截止到2022年末,并承诺会在2023年完成所有内存订单。凡亿教育带你走进DDR3:>>8层DDR3全流程PCB设计实战>>8层DDR3FLY-BY拓扑结构实战这意味着,从2024年

DDR3内存即将落幕,三星将在2024年停产DDR3内存

在规则里面这么多拓扑结构,很多时候我们只需要使用第一个shortest规则就可以,在ad中这几个出线规则其实并不需要我们去太多的纠结,因为对于器件而言不同的器件我们使用的布局方式又是不一样的,比如DDR什么时候用T点,什么时候用菊花链 ,什么时候用fly-By,等等这些,都是需要按照我们的行业规范进行布局和布线。

Altium Designer PCB界面飞线不从过孔里面出线如何解决

上次我们对不加端接电阻和加端接电阻之后的仿真结果做了分析之后我们得出在DDR采用菊花链拓扑结构的时候是需要加端接电阻的,这次我们看看DDR末端的端接电阻距离最后一片DDR远一点效果好一些还是近一点效果好一些。本次采用的案例依旧是我们上期的D

DDR终端匹配电阻的长度多少合适?

DDR采用菊花链拓扑结构时,由于信号传输线较长通常需要在DDR末端加上终端匹配电阻,端接的方式有很多,但是都是为了解决信号的反射问题,通常为了消除信号的反射可以在信号的源端或者终端进行解决,在源端处消除反射是采用电阻串联的方式,在终端处消除

DDR加终端匹配电阻和不加信号质量的区别

我们在不同的PCB设计的项目之间会存在拓扑跟封装完全相同的电路,或者在同一个PCB设计中也会存在重复的电路,被我们多称为“多通道电路”。我们可以将PCB分成若干个功能模块,分给多个设计师去进行功能模块的布局工作,然后利用PADS Layou

PADS Layout PCB布局的复用操作方法教程

Altium布DDR时T型怎么等长操作