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激光加速器是一种利用激光产生的强烈电磁场来加速带电粒子的装置。与传统的粒子加速器相比，激光加速器有望大幅缩小设备尺寸，同时能够产生更高能量的粒子束。01激光加速器组成激光加速器主要由以下几个部分组成:激光源:产生高强度、超短脉冲的激光,是激
答：我们在设计比较复杂的项目、BGA的间距比较小的时候呢，通孔是没法使用的，必须要使用激光钻孔，也就是盲孔与埋孔的设计。我们这里讲解一下，在Allegro中应该如何去设置盲埋孔，具体操作如下所示：
Vcsel芯片和制作流程
但凡说到激光器，人们必须提及Vcsel，也就是垂直腔面发射激光器：Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser。2017年苹果公司iPhone X采用vcsel作为3D感应技术，用于Proximity sensor和 Face ID模块，彻底把Vcsel炒热了。之后发
激光传感器和红外传感器都是利用物体与光的相互作用来测量物体参数的仪器，但它们的工作原理和应用范围有所不同。本文将介绍激光传感器和红外传感器的区别。一、激光传感器和红外传感器的工作原理激光传感器利用激光束与物体之间的反射或散射来测量物体的距离
1064nm光纤激光器
产品简介 脉冲光纤激光器采用主振荡器功率放大MOPA（Master Oscillator Power Amplifier）结构，其中主振荡利用半导体激光器作为种子源，功率放大则通过⾏波光纤放大器来实现。MOPA结构脉冲光纤激光器是通过直接
自动驾驶的第一步就是定位，知道自己在哪里，才能进行路径规划，控制汽车行驶。当前汽车主要用GPS导航，由于GPS不是很精准，95%的情况都可以在2米以内，在人驾驶汽车的情况下，只需要知道大概位置就可以了，人可以根据周围的环境来判断自己的位置，
激光器芯片的WPE思考
WPE在LD芯片中指电光转换效率。 WPE=出光功率/工作电流/工作电压。因此WPE越大越好，说明电转成光的效率越高。额外的部分电能，大部分以热能的形式释放。WPE高的话，转换的热也会变少。 An AlGaInP/GaAs red LD suffers from low wall pl
LD芯片的工艺制作流程
脊型GaAs基LD激光芯片工艺过程：这个流程算是LD最基础的流程，第一步做Mesa台阶，第二步做SiO2阻挡层，第三步做P电极、第四步做减薄、抛光；第五步做N电极。然后就是切片、测试、封装。但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要
第十九届武汉光博会将于2023年5月16-18日在中国光谷科技会展中心举办。本届展会聚焦F5G光通信、激光技术、精密光学等产业链的创新发展，共规划设置光通信与F5G全光网络、激光技术与应用、光学与精密光学、光电前沿交叉应用四大主题展区。
仿真语法：通用格式语法规则：•命令可以简写，以不与其他简写相冲突为原则，如“deposit”可以用“depo”取代•不区分大小写•命令和参数之间、参数和参数之间以空格分开•一行写不完的在该行的末尾加反斜杠“\”(注意“\”前需留有空格)，则下一行和该行将被视为同一个命令•“#”进行注释•空行不运行激
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