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场效应晶体管种类繁多，对于初入晶体管行业的小白来说可能是很难分辨，无法搞懂其结构组成，也就造成场效应晶体管基础知识不行。但场效应晶体管在晶体管行业来说却是非常重要，所以本文将重点分享场效应晶体管的符号结构。一般来说，场效应晶体管的分类结构如
IGBT关断过程分析
01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由于对IGBT关断机理认识不清,
随着科技快速发展，电子设备的芯片对性能要求越来越高，也意味着芯片内置的晶体管数量越来越多，这也要求考虑工程师对晶体管的了解程度，今天我们将分享晶体管的三种工作状态。晶体管外文名为transistor，是一种固体半导体器件，其中包括二极管、三
近日，来自日本国立材料研究所（NIMS）和东京理科大学的科研团队成功研发新型“有机双栅极反双级”晶体管，可通过调节执行五种逻辑门（AND、OR、NAND、NOR、XOR）操作中的任何一种双栅极的输入电压，可应用在开发“电可重构”型逻辑电路。
如果要评选全球最强AI芯片，可能很多人想到的是英伟达（NVIDIA），或者AMD等，然而一个芯片的发布，却让所有人闭嘴了，它就是WSE-3。近日，美国芯片初创公司Cerebras Systems推出了全球最强的第三代晶圆级AI加速芯片“WS
第一次课上给同学们展示了电子管，相比越做越小的晶体管，电子管显得更加有年代感和视觉冲击感。那么今天小电就收集一些电子管的资料扩展一下大家认知吧。电子管是一种在密闭真空玻璃容器中，金属氧化物受热产生自由电子，利用电场对电子的控制作用，微弱信号能被放大的电子器件。在高端音响器材中，电子管常作为音
随着芯片内置晶体管数量越来越多，不到一年间隔研发从10nm、7nmnm到5nm，现如今已发展到一年半间隔研发3nm和2nm，可以说研发下一代工艺芯片所需时间越来越长。芯片的摩尔定律即将走到极限。掌握PCB精髓，来凡亿教育吧！>>《Alleg
产品简介CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMT是效率最高， 功率密度最高， 质量最佳的增强型功率晶体管。增强模式概念提供了快速的开启和关闭速度， 以及在芯片或封装级别上更好的集成路径。 CoolGaN™可实现更简单的半
