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MOS管，即金属氧化物半导体场效应管，凭借着输入阻抗高、开关速度快、热稳定性优良等特点，是现代电子电路中常用的半导体器件之一。在MOS管的结构中有三个重要电极，分别是G极、S极、D极，下面聊聊这些电极。一般来说，一个典型的N沟道MOS管由一
场效应晶体管种类繁多，对于初入晶体管行业的小白来说可能是很难分辨，无法搞懂其结构组成，也就造成场效应晶体管基础知识不行。但场效应晶体管在晶体管行业来说却是非常重要，所以本文将重点分享场效应晶体管的符号结构。一般来说，场效应晶体管的分类结构如
MOS管，即金属氧化物半导体场效应管，是电子电路中常见的重要元件，因此很多电子工程师会选择在电路板上使用MOS管，但在使用过程中经常会遇见MOS管莫名被烧毁的问题，这些问题是如何造成的？如何解决？今天凡亿教育细说下，希望对小伙伴们有所帮助。
开关模式电源（Switch Mode Power Supply），又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。开关电源的输入多半是交流电源（例如市电）或是直流电源，而输出多半是需要直流电源的设备，例如个人电脑，而开关电源就进行两者之间电压及电流的转换。
关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结
管：MOS 管属于电压型元器件，没有电流的损耗，通过控制 G 来形成我们的电压控制。MOS 分为结型场效应管和绝缘栅型管，绝缘栅型管又分为增强型和耗尽型，这个我们不用太去纠结我们知道有这么回事就行。我们要知道：UGS 栅源电压，UP 夹断电压，UT 开启电压。看图说话，这是一个 N 型的 MOS
华为内部模拟电路学习资料，本资料为华为传输事业部内部学习资料，从网上电子爱好者那边要到的，讲解很详细，有自己独到的知识理解方式，大家可以认真学习一下： 这只是目录部分截图，希望大家好好利用下这个资料；微信扫描以下二维码添加后备注 MOS管资料 直接领取扫码添加微信领取（备注：华为模拟电路）
一、MOS管输入电阻很高，为什么一遇到静电就不行了？MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种
如图，为什么在Vce下降前ic就开始上升了呢？这里就用MOSFET代替BJT了,所以ids= ic , Vds=Vce , Coss也就是Cds代表输出电容。简单来说就是当MOS管一开始导通时输出电容Coss还保持Vds电压 ,随着Ids电流越来越大, Vds电压终于保持不住,开始下降。直到管子完全
电路解析：当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，1.8V电源导通；当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管不导通，1.8V电源不导通。为什么要这样做呢？这个和三极管和MOS的特性有很大关系：三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化；MOS管是电压控制电流器件，用
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