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答:我们以一个电阻的封装为例,详细讲解创建一个简单分立元器件步骤:第一步,按照我们前面的问答中详细介绍,新建一个库文件,如图2-11所示,填写名称为RES,起始名称为R,PCB封装那一栏先可以不用填写,分立器件,Part选择1即可,其它按照默认设置; 图2-11 新建RES的库文件是示意图第二步,在弹出的R?的虚线框,在右侧栏选择Place Rectangle,绘制一个合适的矩形框在虚线内部,运用菜单栏上的Snap To Grid,关掉格点,将矩形框调整到合适的位置,然后将虚线框缩小至

【ORACD50问解析】第08问 orcad怎么创建一个简单分立元器件的封装?

中国半导体分立器件产业在上世纪50年代初创,70年代逐渐成长,80年代的改革开放到90年代以后进入全面发展阶段,21世纪初中国加入WTO,为我国半导体分立器件产业带来了新的发展契机。受益于国际电子制造产业的转移、下游行业需求的拉动以及国家推

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华秋 2023-04-14 15:59:58
国内功率半导体需求将持续快速增长

电位器是工程师中常见的元件之一,也是人们日常生活中使用频率高的电子产品。了解电位器对萌新或工程师是很有必要的。那么接下来凡亿教育将分享使用电位器时的注意事项。电子工程师必备分立器件知识,选择凡亿教育《电阻参数及其电路应用培训》电位器外文名为

使用电位器需要注意什么?电位器的注意事项

从企查查官网获悉,6月23日,珠海芯试界半导体科技有限公司成立,注册资本2亿元人民币,法定代表人为黄铁牛,公司经营范围包含:集成电路制造;集成电路芯片设计及服务;集成电路芯片及产品制造;集成电路设计;半导体器件专用设备制造;半导体分立器件

小米投资成立半导体公司,欲进军集成电路产业

1、SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的

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明佳达电子Mandy 2024-01-29 17:02:43
【分立器件】SCTH100N65G2-7AG、SCT060HU75G3AG汽车级碳化硅功率MOSFET,符合AEC-Q101标准

器件说明NVMYS011N04C和NVMYS4D1N06CL 是适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPA

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明佳达电子Mandy 2024-01-22 16:38:08
用于紧凑和高效设计的汽车用NVMYS011N04CTWG、NVMYS4D1N06CLTWG 功率MOSFET【分立器件】

我们以一个电阻的封装为例,详细讲解创建一个简单分立元器件步骤:第一步,按照我们前面的问答中详细介绍,新建一个库文件,如图2-11所示,填写名称为RES,起始名称为R,PCB封装那一栏先可以不用填写,分立器件,Part选择1即可,其它按照默认设置; 图2-11 新建RES的库文件是示意图第二步,在弹出的R?的虚线框,在右侧栏选择Place Rectangle,绘制一个合适的矩形框在虚线内部,运用菜单栏上的Snap To Grid,关掉格点,将矩形框调整到合适的位置,然后将虚线框缩小至跟矩

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orcad怎么创建一个简单分立元器件的封装?

本期来讲一下三极管作为开关电路的分析。由于现在用分立器件三极管搭电路的已经越来越少了,如果不是做模拟电路的ic设计,这方面的知识在工程中已经很少用到,但是作为开关来用的场景还是挺多,常见的如搭一个非门、驱动继电器、驱动直流电机等等情况。严格来讲这一篇可能不完全算模电的范畴,但是说它是数电也不太对,

【模电】三级管开关电路分析

一、概述1、NTTFS6H860NLTAG N沟道功率MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)(功率转换应用中使用的MOSFET的关键品质因数 (FOM))。该MOSFE

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明佳达电子Mandy 2024-01-26 17:31:32
【MOSFET】单 N 沟道,NTTFS6H860NLTAG、NTTFS005N04CTAG 8WDFN 分立器件

分立器件搭建BUCK电源原理图实战之软启动 Ⅱ 电容是源那是不是使用P管比较合适些,P管E极接A点,B极串联电阻到Agnd,那我们来看一下用三极管放电的电路如图一示图 一 分析这个过程,接上P管后我们看这个电路有没有问题呢?是不是有一

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☆逍★遥★龍☆ 2022-09-21 09:00:37
分立器件搭建BUCK电源原理图实战之软启动 Ⅱ (六)