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全球唯有台积电和三星能够制作5nm以下工艺的晶圆代工,然而随着芯片工艺制程的提升,研发难度越来越高,发布时间也越来越少,这也造成很多人说摩尔定律将死。纵观台积电的路线发展图,台积电将在2022年年底量产3nm工艺,2025年量产2nm,在此
随着芯片内置晶体管数量越来越多,不到一年间隔研发从10nm、7nmnm到5nm,现如今已发展到一年半间隔研发3nm和2nm,可以说研发下一代工艺芯片所需时间越来越长。芯片的摩尔定律即将走到极限。掌握PCB精髓,来凡亿教育吧!>>《Alleg
自从摩尔定律被提出后,芯片内置的晶体管数量开始以高速增长趋势发展,其中的绝缘栅双极晶体管因其特点广受关注,常应用在多种行业,今天我们将为小伙伴们科普绝缘栅双极晶体管。一般来说,电力晶体管GTR的特点是双极性,由电流驱动,有电导调制效应,通流
随着芯片产业的迅速发展,芯片间数据交换也在成倍增长,传统的芯片封装方式几不能满足巨大的数据处理需求。同时,随着芯片制造逐渐进入摩尔定律的无理极限,芯片制程工艺提升放缓,以3D堆叠封装为代表的先进封装技术即将成为未来的重要发展方向。以苹果为例
随着信息技术和微电子技术的高速发展,我们不可避免地进入了大数据时代,数据生产开始呈现爆炸式增长,这也愈发考验计算机系统的数据处理能力,但随着摩尔定律的极限,计算机系统的数据处理能力也将达到瓶颈期,传统的冯·诺依曼计算架构已成为计算机系统性能
众所周知,芯片行业存在一个定理,那就是摩尔定律,主要内容是集成电路上可容纳的晶体管数目在大约每18个月便会增加一倍。掌握FPGA/IC工程师需要的核心技能,来凡亿教育!>>《基于VIVADO平台的FPGA时序约束教程》随着技术的提升和原材料
50多年来,半导体行业一直受益于摩尔定律。但是如今,半导体等比例缩小的时代已经结束。摩尔定律主要是作为一条经济法而存在——即集成电路上可容纳的晶体管数量,约每隔几年便会增加一倍。当然,是技术的发展使之成为现实;直到几年前,这一定律依然适用。高层次的经济主张是:每一代工艺将同一领域的晶体管数量增加一倍,成本仅增加15%,从而为每个晶体管节省35%的成本。但是因为当今的工艺愈发复杂,加之建造一个工厂的资本投入非常大(每台EUV步进机将耗资1亿美元),导致每一代晶体管都更加昂贵。因此我们发展出一个从7
提起摩尔定律,很多人都不会陌生,英特尔创始人戈登·摩尔提出:“集成电路上可以容纳的晶体管数量,每经过18-24个月便会翻一番。”但随着芯片制程的提升,摩尔定律即将达到物理极限。据外媒报道,随着新工艺节点的不断推出,芯片制程工艺也正在向着物理
随着集成电路技术沿摩尔定律发展至今,从第一代插孔元件、第二代表面贴装、第三代面积阵列,再到现在的芯片封装,这些封装技术以系统级封装技术(SIP)的实现奠定了基础,然而很少工程师知道,良好的SIP可明显改善电磁兼容和信号完整性问题。所谓的系统
虽然很多人遇到无法理解的事情都会说“遇事不决,量子力学”,但由于其技术限制,量子力学及量子通信无法真正实现,但因为量子可突破摩尔定律促使半导体行业达到更高的位置,所以有很多国家及公司投入很多资金研发,我国自然也不例外。近日,中国科学技术大学