Power SI 封装体和PCB焊球连接后进行执行的操作实例和设置办法

在IC封装的分析中，为了能够提取到更加趋近于真实测量结果的S参数（或者其他参数），需要在封装体上添加假性球体和参考层，下面来讲解在Sigrity™ PowerSI®工具中添加假性球体和参考层的方法。

在IC封装的分析中，为了能够提取到更加趋近于真实测量结果的参数S参数（或者其他参数），需要在封装体上添加假性球体和参考层，下面来讲解添加假性球体和参考层的方法。

做完芯片之后还是要做成器件才能真正了解芯片性能，对于电性能芯片就面临如何焊接的问题。芯片到封装体的焊接是指半导体芯片与载体（封装壳体或基片）之间形成牢固的、传导性或者绝缘性的连接方法。焊接层除了为器件提供机械连接和电连接之外，还需为器件提供良好的散热通道。 芯片导电的焊接方式大概有以下几种：

FC封装的一般工艺流程如下：1）将带有芯片凸点的7FC芯片对齐贴装在底部芯片或基板上；2）布局完成后，通过回流焊或热压键合工艺进行键合；3）互连形成后，在芯片周围滴涂底填料，底填料会通过毛细作用填满芯片与基板之间的间隙；4）填充完成后，将组装件放在固化炉中进行底填料的固化。得到的FC封装体的一般结构