（128Mb）FL-L NOR闪存S25FL128LAGBHB020、S25FL128LAGNFB010采用65nm工艺技术

全新的FL-L NOR闪存可为那些在扩展温度范围内运行并需要存储重要数据的嵌入式系统提供最高可靠性和安全性。该系列闪存产品具备低功耗和AEC-Q100汽车认证，并且能够在扩展温度范围内提供更高的读带宽和更快的编程速度。借助小巧、统一的4KB物理存储单元，该系列闪存产品能够以最佳方式存储程序代码和参数数据，是高级辅助驾驶系统（ADAS）、汽车仪表盘及信息娱乐系统、工业控制及智能工厂设备、网络设备、物联网应用、视频游戏机、机顶盒等高性能应用的理想选择。

1、S25FL128LAGBHB020 NOR存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O，QPI 133 MHz 24-BGA（8x6）

存储器类型：非易失

存储器格式：闪存

技术：FLASH - NOR

存储容量：128Mb

存储器组织：16M x 8

存储器接口：SPI - 四 I/O，QPI

时钟频率：133 MHz

写周期时间 - 字，页：-

电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V

工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：24-TBGA

2、S25FL128LAGNFB010 NOR闪存器件 128Mb SPI - 四 I/O，QPI 133 MHz 8-WSON（5x6）

存储器类型：非易失

存储器格式：闪存

技术：FLASH - NOR

存储容量：128Mb

存储器组织：16M x 8

存储器接口：SPI - 四 I/O，QPI

时钟频率：133 MHz

写周期时间 - 字，页：-

电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V

工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：8-WDFN

（128Mb）FL-L NOR闪存S25FL128LAGBHB020、S25FL128LAGNFB010采用65nm工艺技术的非易失性存储器 — 明佳达

注：本文部分内容与图片来源于网络，版权归原作者所有。如有侵权，请联系删除！